一种柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池的制备方法，1)采用厚度80～500um，电阻率0.1～1000Ω·cm的晶体硅片作为衬底；2)先在晶体硅衬底上制作太阳电池正面结构或半成品正面结构；3)保护好已制作的正面结构从背面减薄衬底：在已制作的太阳电池正面结构或半成品正面结构上制作100nm～100um的保护层或同时在背面也制作边框保护，将晶体硅衬底从背面减薄至5～50um；去除保护层或同时包括背面边框保护层；4)制作背面结构：在背面淀积异质结硅基钝化层2～100nm及背面场2～50nm。异质结结构大幅度的提高电池的转换效率、开路电压、短路电流等；光电性能优良的晶体硅作为柔性电池的吸收基区，是获得较高转换效率的保证。