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公开/公告号CN111118608B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN202010036398.X
发明设计人 张艳锋;杨鹏飞;潘双嫄;
申请日2020-01-14
分类号C30B29/46(20060101);C30B29/64(20060101);C30B25/18(20060101);C30B25/02(20060101);
代理机构11472 北京方安思达知识产权代理有限公司;
代理人陈琳琳;张红生
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:28:30
机译: 用于层状过渡金属硫属化物化合物层的组合物和形成层状过渡金属硫属化物化合物层的方法
机译: 过渡金属硫属化物的制备方法过渡金属硫属化物和包含该过渡金属硫属化物的装置
机译: 一维过渡金属硫属化物化合物互连体,由具有该结构的一维过渡金属硫属化物化合物电子设备构成
机译:过渡金属双硫属化合物:用于光电电化学制氢的厘米级多异质结MoS 2 / WS 2 / WSe 2薄膜催化剂的直接原位生长(Adv。Sci。13/2019)
机译:过渡金属硫属化物纳米晶的合成方法
机译:一种制备贵金属纳米粒子修饰的过渡金属二硫属化物纳米带的通用方法
机译:(邀请的)晶圆级外延的过渡金属二硫代甲基化物通过MOCVD
机译:大规模和厚度调制的二维过渡金属双硫属化合物[2D TMDs]纳米层的制备。
机译:晶圆级合成过渡金属二硫属化物薄膜的Chelant增强溶液处理
机译:一维过渡金属碲化纳米线的晶圆级生长
机译:非均匀晶圆级电路架构的三维集成和晶圆封装;会议文件与简报图表