一种高耐压低损耗超结功率器件

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高耐压低损耗超结功率器件。本发明的主要特征在于：在P型漂移区上方有夹断结构，夹断结构由夹断槽以及夹断槽之间P型体接触区组成。正向导通时，夹断结构夹断中间的P型漂移区，从而抑制空穴被P型漂移区收集，提高载流子在漂移区中的存储效果；器件关断时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极连接，作为空穴抽取路径，减小关断损耗；正向耐压时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极接触，其电位为0，因此P型漂移区的辅助耗尽作用更好，器件的耐压更高。与传统超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更低的导通压降，V_on‑E_off折中更佳；与P柱浮空超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更高的正向耐压。