基于塞贝克效应的高速控制芯片热电回收结构

摘要

本发明公开一种基于塞贝克效应的高速控制芯片热电回收结构，包括晶圆，该晶圆上印刷有电路层，所述电路层包括电源管理单元、a个处理内核，该电源管理单元为每个处理内核供电，所述电路层上方印刷有一层热电回收层，该热电回收层包括b个热电转换单元，b≥a，所述热电转换单元与所述电路层中热源的位置相对应，所述热源为所述电路层中发热的模块，包括所述处理内核；所述晶圆上留有热电输出引脚VREG‑OUT+、VREG‑OUT‑，任意二个所述热电转换单元之间串联/并联连接，并最终接入所述热电输出引脚VREG‑OUT+、VREG‑OUT‑。有益效果：在芯片上直接将热能转化为电能重新回收利用，一方面将能源循环利用，另一方面也能降温，减轻高温对元器件的影响。