绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术

摘要

一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括用以控制此器件的栅极、形成于第一类型阱中并且用以连接至栅极的漏极、与漏极形成电流通路的源极、以及沉积于栅极与漏极间的第一场氧化区域。形成栅极并且覆盖于第一类型阱的第一部分及第二类型阱的沟道部分上方。LDMOS还包括沉积于漏极边缘与第二类型阱间的第二场氧化区域。形成虚拟多晶硅层以覆盖几近一半的第二场氧化层，并且借助虚拟多晶硅层的剩余部分来覆盖第二类型阱的第二部分，以降低漂移区域中的电场。