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Qin Xu; 徐琴; Yufeng Guo; 郭宇锋; Chen Liu; 刘陈; Tingting Hua; 花婷婷;
中国电子学会;
射频集成电路; 结构设计; 横向变厚度; 击穿电压; 频率分析; 数值仿真;
机译:一种具有平行氧化物 - 金属层的新型SOI-MESFET,用于高压和射频应用
机译:一种具有可变厚度的平面内振动振动的新型Chebyshev光谱方法
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机译:具有30GHz f max inf>和27V BV CEO inf>的新型SOI横向双极晶体管,用于射频功率放大器应用
机译:定量研究射频MEMS开关中使用的镍电沉积层的微观结构和结晶纤维质地,包括一种用于多晶膜的新型透射电子显微镜(TEM)技术
机译:一种新型椎弓根螺钉插入技术的准确性通过横向质量作为参考标记的横向质量在亚颈椎的特殊角度尺度辅助
机译:一种具有可变厚度的非均匀杆和圆形板的横向振动解决方案的方法
机译:BUsFET - 一种新型抗辐射sOI晶体管
机译:具有自定质量计划和网格和可变厚度氧化层的SOI晶体管
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