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公开/公告号CN105845551B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201610078060.4
发明设计人 法亚兹·谢赫;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;
申请日2016-02-03
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;李献忠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:27:19
机译: 在衬底处理系统中用作硬掩模的非晶碳和硅膜的金属掺杂
机译: 基质处理系统中用作硬质合金的非晶碳和硅膜的金属掺杂
机译:由(C_6H_12)/ Ar / He化学沉积的非晶碳膜的制备和分析,用作半导体制造工艺中的干法蚀刻硬掩模
机译:使用含硅的热塑性抗蚀剂(SiPol)作为硬掩模在传感器应用中形成类金刚石碳膜的图案
机译:高纵横比设备图案中的无定形碳步长覆盖优化的硬掩模和光刻功能
机译:带有有机硬掩模和蚀刻停止层的多孔有机硅膜中的铜双大马士革互连,用于70nm节点的ULSI
机译:使用多孔硅顺应膜设计硅衬底上的多结太阳能电池
机译:过渡金属掺杂对通过溶胶-凝胶法沉积在Si衬底上的TiO2膜的结构光学和磁性的影响
机译:使用转移的硬掩模在非常规衬底上进行纳米加工
机译:硅膜X射线光刻掩模的制造方法。