公开/公告号CN111926306B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 上海陛通半导体能源科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010999094.3
申请日2020-09-22
分类号C23C14/56(20060101);C23C16/54(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人佟婷婷
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室
入库时间 2022-08-23 11:26:21
机译: 气相沉积设备,气相沉积设备和外延晶圆生产工艺的承办商
机译: 负载锁定腔室,具有相同功能的单晶膜沉积装置以及在晶圆上沉积单晶膜的方法
机译: 用于在非晶碳膜沉积工艺中清洁腔室的设备以及使用该设备清洁腔室的方法