公开/公告号CN100433251C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 韩国科学技术院;
申请/专利号CN200610112308.0
申请日2006-08-31
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/288(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/02(20060101);H01F41/00(20060101);C01B31/02(20060101);B82B3/00(20060101);
代理机构北京君尚知识产权代理事务所;
代理人余长江
地址 韩国大田广域市儒城区九城洞373-1
入库时间 2022-08-23 09:01:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20081112 终止日期:20150831 申请日:20060831
专利权的终止
2008-11-12
授权
授权
2007-05-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: 在半导体基板上形成碳纳米管的方法,使用其形成半导体金属线的方法以及使用该方法制造电感器的方法
机译: 在半导体基体上形成碳纳米管的方法,使用相同方法形成半导体金属线的方法以及使用相同方法制造导体的方法
机译: 用碳纳米管在基质预定区域上形成的方法,以及使用相同的方法形成半导体金属线和导体的方法