公开/公告号CN109309093B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201810835371.X
申请日2018-07-26
分类号H01L27/11517(20170101);H01L27/11521(20170101);H01L27/02(20060101);H01L21/822(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 11:24:41
机译: 边界设计可减少存储器阵列边缘CMP凹陷效应
机译: 减少内存阵列边缘CMP切碟效果的边界设计
机译: 减少内存阵列边缘CMP切碟效果的边界设计