减少存储器阵列边缘CMP凹陷效应的集成芯片及其形成方法

摘要

在一些实施例中，本发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括：逻辑区，具有设置在衬底内的多个晶体管器件；嵌入式存储器区，具有设置在衬底内的多个存储器件；以及边界区，将逻辑区与嵌入式存储器区分开。边界区包括第一隔离结构，其中，第一隔离结构具有第一上表面和位于第一上表面下面的第二上表面。通过位于第一隔离结构上方的内侧壁连接第一上表面和第二上表面。边界区还包括：存储器壁，布置在第二上表面上并围绕嵌入式存储器区；以及逻辑壁，布置在第一上表面上并围绕存储器壁。逻辑壁具有位于多个存储器件和存储器壁之上的上表面。本发明的实施例还提供了集成芯片的形成方法。