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一种表面氧空位超薄氯氧化铋纳米片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种表面氧空位超薄氯氧化铋纳米片及其制备方法。该制备方法通过向体系中选择性的加入具有配位能力的有机小分子三乙胺,利用有机小分子的竞争配位作用形成表面缺陷,调节水热合成体系的参数,经离心、超声、洗涤、冷冻干燥,控制合成超薄的表面氧空位氯氧化铋二维纳米片材料。充分利用了还原性有机小分子配位竞争配位的作用,形成表面缺陷的技术方案,解决了现有超薄氯氧化铋纳米片的制备方法不能精确地形成表面缺陷且制备条件苛刻的难题。该方法具有生产工艺简单、生产过程安全等特点,可广泛用于无机功能材料的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN108217724B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广西民族大学;

    申请/专利号CN201810075428.0

  • 申请日2018-01-26

  • 分类号C01G29/00(20060101);

  • 代理机构44604 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人胡国英

  • 地址 530006 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路188号

  • 入库时间 2022-08-23 11:24:36

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