公开/公告号CN106847814B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201710001499.1
申请日2011-12-19
分类号H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L21/84(20060101);H01L27/12(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/775(20060101);H01L29/786(20060101);B82Y10/00(20110101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:24:26
机译: 全方位门架构中锗和III-V纳米线和纳米带的CMOS实现
机译: 全方位门架构中锗和III-V纳米线和纳米带的CMOS实现
机译: 全方位门架构中锗和III-V纳米线和纳米带的CMOS实现