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公开/公告号CN110109500B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 西安邮电大学;
申请/专利号CN201910345265.8
发明设计人 黄海生;惠强;李鑫;
申请日2019-04-26
分类号G05F1/565(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人史晓丽
地址 710121 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学
入库时间 2022-08-23 11:24:19
机译: 开关电容器,曲率补偿带隙基准电压源
机译: 曲率补偿带隙基准电压源
机译:具有分段补偿的高PSRR带隙基准电压源
机译:具有自动曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:从绝缘的PMMA聚合物到共轭双键行为:绿色化学作为制备小带隙聚合物的一种新方法
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)