垂直隧穿负微分电阻器件

摘要

本公开内容涉及微电子器件的制造，该微电子器件具有形成在其中的至少一个负微分电阻器件。在至少一个实施例中，可以利用量子阱来形成所述负微分电阻器件。本说明书的负微分电阻器件的实施例可以达到高的峰值驱动电流以实现高性能，并且可以达到高的峰谷电流比以实现低功耗和噪声容限，这允许它们用于逻辑和/或存储器集成电路。