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公开/公告号CN108417590B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201810108246.9
发明设计人 谢生;董威锋;孙邵凡;毛陆虹;
申请日2018-02-02
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人李林娟
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2022-08-23 11:23:07
机译: 光子集成电路具有互连区,其中包括修改折射率以确保光学电路与激光二极管,多模光纤,光电探测器和绝缘体之间互连的衬底区
机译: 半导体器件和肖特基结型半导体光电探测器的制造
机译: 肖特基结型半导体光电探测器
机译:带有等离子体栅结构的980 nm MSM光电探测器的吸收增强
机译:SOI衬底上的浮栅/体绑式NMOSFET光电探测器的性能
机译:用于光学互连的高性能MOS电容器型Si光调制器和表面照明型Ge光电探测器
机译:网栅亚波长光栅作为反射镜,用于设计谐振腔增强型光电探测器
机译:用于光学互连的硅谐振腔增强型光电探测器阵列。
机译:用于增强型紫外线光电探测器和室温NO传感装置的多功能Au-ZnO等离子体纳米结构
机译:用于光学互连的硅谐振腔增强型光电探测器阵列
机译:n型GaN光电探测器的光电导动力学