光刻工艺的优化方法及其优化系统和光刻方法

摘要

一种光刻工艺的优化方法及其优化系统和光刻方法，优化方法包括：对所述测试版图进行一次或多次版图设计优化以及通过测试版图对所述光源进行一次或多次光源优化；所述版图设计优化包括：根据所述测试版图形成掩模版图，通过所述光源对所述掩模版图进行曝光处理，形成曝光图形；在所述测试版图中获取弱点区域，所述弱点区域包括多个测试图形，所述弱点区域中的相邻测试图形之间的间距为第一间距，相邻曝光图形之间的间距为第二间距，所述第一间距与对应的第二间距不相等；对所述弱点区域进行重布图优化，增加弱点区域中相邻测试图形之间的间距。所述优化方法能够降低优化后的测试版图对光刻条件的要求，增加光刻工艺窗口。