半导体封装测试结构及形成方法、半导体封装结构

摘要

本发明公开了一种半导体封装测试结构及封装方法、半导体封装结构，其中，半导体封装测试结构位于晶圆的切割道区，所述晶圆的切割道区与晶圆的芯片区相邻，且所述晶圆表面覆盖有绝缘层，包括：位于所述绝缘层内并位于所述切割道区的至少三层测试金属层；以及位于所述切割道区并电连接相邻所述测试金属层的所述测试连接层，相邻层的所述测试连接层分别位于所述切割道区的相对两侧，以利于后续切片工艺时相邻层的测试连接层分别位于不同的晶片。本发明的封装测试结构晶片最顶层的测试金属层无法与最底层的测试金属层形成电连接，这样后续封装过程中即使焊线与测试键接触，由于晶片内测试键本身的断路也无法形成接地回路，因此不会发生短路失效。