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公开/公告号CN110567539B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 长春工业大学;
申请/专利号CN201910889999.2
发明设计人 程廷海;周建文;徐毓鸿;王宇琦;卢晓晖;杨伟雄;刘雨生;殷梦飞;
申请日2019-09-20
分类号G01F1/52(20060101);G01F15/00(20060101);G01F15/14(20060101);
代理机构
代理人
地址 130012 吉林省长春市朝阳区延安大街2055号
入库时间 2022-08-23 11:20:26
机译: 通过快速热处理形成异质外延层以去除晶格位错
机译:{111}(112)孪晶边界在面心立方晶体中的晶格位错相交而未形成取向失配位错
机译:在包含棱柱形位错环的晶体中边缘位错的动态滑动过程中,干摩擦型阻力的起源
机译:Cu / Nu(100)半相干界面的位错结构及其在晶格位错成核中的作用
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:n通道分栅嵌入式闪存中p型浮栅的编程效率高
机译:关于用于钻井液流出量测量的滚动式浮子流量计的设计和开发的最终报告