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公开/公告号CN107408492B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 国家科研中心;
申请/专利号CN201680013729.X
发明设计人 F·西蒙德;E·傅雷斯奈特;J·迈西斯;
申请日2016-01-21
分类号H01L21/02(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人郭思宇
地址 法国巴黎
入库时间 2022-08-23 11:16:56
机译: 用于外延沉积由XIII族化学元素的氮化物制成的半导体结构的基板以及用于外延沉积由XIII族化学元素的氮化物制成的半导体结构的基板的制造方法
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