用于制作基于第III族元素氮化物的钝化半导体结构的方法以及这样的结构

摘要

本发明涉及用于制作半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括沉积连续地覆盖基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层的步骤(201)，所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且以周期性布置被布置的硅原子构成，使得通过电子沿方向[1‑100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：中心线(0，0)与整数阶线(0，‑1)之间的两个非整数阶衍射线(0，‑1/3)和(0，‑2/3)；以及中心线(0，0)和整数阶线(0，1)之间的两个非整数阶衍射线(0，1/3)和(0，2/3)。