一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法

摘要

本发明提供了一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，包括以下步骤：将反应烧结SiC陶瓷的侧面进行表面处理；将表面处理后的SiC陶瓷置于平铺的Si粉中掩埋，之后置于真空环境中升温，使Si直接浸渗到所述表面处理后的SiC陶瓷的疏松芯部中缺陷位置处，保温一段时间后降温，去除残余的Si，得到致密化的SiC陶瓷。本发明的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，通过直接对疏松芯部的缺陷位置处浸渗Si，并保留足够的二次浸渗Si与原有Si的反应时间，更好更快地得到致密且均匀的SiC陶瓷，提高了反应烧结SiC陶瓷的利用率，避免了重复制备工序，操作容易，过程简单，显著提高了反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化处理效率。