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机译：多孔反应烧结SI3N4 SIC基复合陶瓷材料，制造及连接方法
公开/公告号JPS6374962A
专利类型
公开/公告日1988-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 KUROSAKI REFRACT CO LTD;
申请/专利号JP19860218841
发明设计人 SATO NOBUHIRO;KATSURA YUUJI;UCHIDA HIROYUKI;
申请日1986-09-16
分类号C04B35/591;C04B35/56;C04B35/565;C04B35/573;C04B35/58;C04B35/584;C04B37/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 07:02:11
机译： 通过传统的陶瓷材料制造方法获得基于用碳化硅晶须增强的硅化氮化硅（Si3N4）的陶瓷复合材料的方法
机译： 用于制造多孔硼酸钠粘结的SIC陶瓷的组合物，用于制造硼酸钠粘结硅酸盐的陶瓷的方法，由其制备的，填充有复合材料的复合材料的复合材料相同
机译： 反应烧结SI3N4-SIC复合体的制备
