制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之中，然后通过反应烧结制备成碳化硅纳米纤维增强SiC陶瓷基复合材料。本发明采用SiC纳米线作为增强体通过反应烧结原理制备陶瓷基复合材料，有效的改善了纳米纤维与基体的结合界面，实现有效增加增韧；避免了已报道反应烧结导致碳化硅晶须/纳米线参与反应或长大问题；避免了原位生长纳米线的生长不均匀和与基体界面结合效果不好，不致密问题。