反应烧结制备ZrB2-SiC孔隙梯度陶瓷

摘要

本文利用反应烧结-放电等离子烧结(Reactive Sintering-Spark Plasma Sintering，简称RS-SPS)制备了不同孔隙含量的ZrB2-SiC 复相陶瓷和孔隙梯度ZrB2-SiC复相陶瓷。在固定SiC含量20vol%，ZrB2含量80vol%的基础上，以ZrO2、BB4C和C为原料，利用B4BC还原反应，通过调节反应得到ZrB2的量，达到控制孔隙率的目的。再根据需要，通过调节反应烧结ZrB2 的量，设计制备出不同孔隙梯度的ZrB2-SiC复相陶瓷。目前制备ZrB2-SiC陶瓷的孔隙范围2.09~17.52%，ZrB2和SiC均匀分布于基体中，晶粒细小，还原反应所得ZrB2 粒径<3μm，SiC粒径约为1μm。