公开/公告号CN108321115B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市中镓半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201810063388.8
申请日2018-01-23
分类号H01L21/687(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人罗晓林;杨桂洋
地址 523000 广东省东莞市企石镇东平科技工业园
入库时间 2022-08-23 11:15:18
机译: 用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构,以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体,能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管
机译: 外延层晶圆具有用于分离生长基质和使用该晶圆制造的半导体元件的腔体
机译: 晶圆结构及其外延生长方法