将应力施加到PFET和NFET晶体管沟道的结构和制造方法

摘要

提供了一种半导体器件结构，它包括第一半导体器件；第二半导体器件；以及排列在第一和第二半导体器件二者上的单一应力膜。此应力膜具有重叠第一半导体器件的第一部分，此第一部分将第一幅度的压应力赋予第一半导体器件的导电沟道，此应力膜还具有重叠第二半导体器件的第二部分，此第二部分不将第一幅度的压应力赋予第二半导体器件的导电沟道，第二部分包括不存在于第一部分中的离子浓度，致使第二部分将幅度比第一幅度小得多的压应力、零应力、以及张应力之一赋予第二半导体器件的导电沟道。