减小I/O NMOS器件热载流子注入的方法

摘要

本发明公开了一种减小I/O NMOS器件热载流子注入的方法，在LDD中采用低剂量的砷注入加磷注入代替常规的单一磷注入，并在LDD中采用磷离子注入后，取消常规的LDD快速热退火工艺，使得LDD中的磷原子在点缺陷的帮助下增强扩散，增大结的浓度梯度，从而改善HCI。本发明可以克服常规工艺中单纯依靠增加LDD注入能量所引起的短沟道效应和晶体管特性的偏移。适用于I/O NMOS器件制造工艺。