具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管

摘要

本发明实施例描述了具有2D材料层有源区的示例性FET器件及其制造方法。例如，黑磷有源区具有在沟道区中的第一厚度和在源极/漏极(S/D)区中的更大的第二厚度。在S/D区中的BP具有侧壁，该侧壁接触设置在FET上方的接触件。栅电极设置在沟道区上方。在一些实施例中，侧壁具有钝化的边缘。在一些实施例中，侧壁是非线性的。在一些实施例中，应力层设置在2D材料层上方。本发明实施例涉及具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管。