多层芯片架构及连接方法

摘要

一种多层芯片架构相互连接，通过硅通孔（TSV）的键合方法及可以实施方式为多层相同或不同功能的集成电路芯片相互连接。多层芯片通过硅通孔（TSV）键合形成圆柱体金属互连，芯片之间用顶部与底部堆叠方式，或芯片倒装堆叠芯片方式实现层与层硅通孔定位对准。不同几何尺寸芯片堆叠键合方式互连是通过芯片上固定位置硅通孔（TSV）金属键合，增加一个辅助层使得各层芯片通过硅通孔（TSV）可持续互连。这种固定位置硅通孔（TSV）金属化垂直互连，可以作为工艺定位和对齐基准使得堆叠芯片互连焊接准确，工艺控制简便，连接可靠，可以规模化并具有合理成本的生产，可以跨层和简化各层之间电连接。