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浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构

摘要

本发明涉及一种浸没式微影制程,首先在材料层上形成有光阻层,并且在光阻层上形成有阻隔层。接着,进行浸没式曝光步骤,以在光阻层中形成有曝光区以及未曝光区。之后,进行处理步骤,以改变光阻层曝光区上方的阻隔层的性质。随后,进行显影步骤,以移除光阻层曝光区及其上方的阻隔层。由于本发明在光阻层顶部覆盖有阻隔层,因此在进行浸泡式曝光步骤时,光阻层中物质就不会扩散至浸没液中而造成污染。而且,上述阻隔层可以在进行显影步骤中一并图案化,因此可以省去移除阻隔层的步骤,进而简化制程。

著录项

  • 公开/公告号CN100407370C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200310121326.1

  • 发明设计人 张尚文;刘家助;陈家桢;

    申请日2003-12-11

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人沙捷

  • 地址 台湾省新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-07-30

    授权

    授权

  • 2005-08-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-15

    公开

    公开

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