公开/公告号CN106777523B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201611048937.1
申请日2016-11-23
分类号G06F30/327(20200101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;陈慧弘
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 11:10:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
授权
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20161123
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
机译: 电阻子层的组成,使用该电阻子层制造半导体集成电路装置的方法,以及使用相同的方法制造的半导体集成电路装置,都可以通过包含一个或多个基本角度的角度来获得反电特性。
机译: 一种超导薄膜的表面电阻的测量方法,一种超导薄膜的表面电阻的测量方法,一种超薄薄膜共振电路的Q值的测量方法,一种用于超导薄膜的超导体的表面电阻的测量方法以及一种方法
机译: 用于集成电路电子系统的噪声产生电路的噪声建模方法,包括存储信号的波形,将每个波形划分为时间窗口,并通过每个窗口的锯齿信号表示波形