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一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法

摘要

一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法,其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源,用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中;其中,电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成;噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。因此,本发明是将在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型,使电阻电子模型更加完善,使噪声拟合的很好,且使电阻电子模型的仿真结果更接近实际测量数据,从而提高了电阻子电路模型的仿真结果的可信度。

著录项

  • 公开/公告号CN106777523B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201611048937.1

  • 发明设计人 彭兴伟;王伟;

    申请日2016-11-23

  • 分类号G06F30/327(20200101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华;陈慧弘

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:10:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20161123

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

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