机译:电阻子层的组成,使用该电阻子层制造半导体集成电路装置的方法,以及使用相同的方法制造的半导体集成电路装置,都可以通过包含一个或多个基本角度的角度来获得反电特性。
公开/公告号KR20110075688A
专利类型
公开/公告日2011-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 CHEIL INDUSTRIES INC.;
申请/专利号KR20090132209
发明设计人 CHO HYEON MO;KOH SANG RAN;YUN HUI CHAN;KIM JONG SEOB;LEE WOO JIN;KIM SANG KYUN;KIM MI YOUNG;WOO CHANG SOO;
申请日2009-12-28
分类号G03F7/11;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:51:33