一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET

摘要

本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括：漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源端电极、P+掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅱ、绝缘层Ⅱ和浮空电极。本发明在不增加器件的比导通电阻以及漏电流的条件下，能够极大地降低器件的反向恢复电荷，并且不会增加工艺难度。