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等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法

摘要

等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法,属于二维材料制备技术领域。所述系统包括真空系统、衬底加热系统、等离子体增强系统和进气管路;真空系统含有镀膜腔室和进样腔室,在镀膜腔室和进样腔室上均分别设有进气口、出气口以及多个观测窗口。本发明旨在利用等离子体辅助促成前驱体反应裂解,并在超高真空下实现对衬底表面和腔体的清洁,在通过特殊设计进气管路进行前驱体定点供给,从而实现在多种材料表面上制备二维材料。本发明强调环境和表面的超高清洁对于二维材料生长的辅助作用,并以此系统与方法实现二维薄膜材料的生长,取消传统的转移过程对材料的破坏以及高温生长对衬底的局限性。

著录项

  • 公开/公告号CN108342716B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201711461217.2

  • 发明设计人 朱宏伟;甄真;

    申请日2017-12-28

  • 分类号

  • 代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司;

  • 代理人邸更岩

  • 地址 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

  • 入库时间 2022-08-23 11:09:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    授权

    授权

  • 2018-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/513 申请日:20171228

    实质审查的生效

  • 2018-07-31

    公开

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