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一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路

摘要

本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路,属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比,带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4,正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压,从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。

著录项

  • 公开/公告号CN110794913B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆邮电大学;

    申请/专利号CN201911155869.2

  • 发明设计人 周前能;关晶晶;李红娟;

    申请日2019-11-22

  • 分类号G05F1/575(20060101);

  • 代理机构50102 重庆市恒信知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘小红;陈栋梁

  • 地址 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    授权

    授权

  • 2020-03-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/575 申请日:20191122

    实质审查的生效

  • 2020-02-14

    公开

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