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曹寒梅; 杨银堂; 蔡伟; 陆铁军; 王宗民;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
北京微电子技术研究所,北京,100076;
带隙电压基准源; 负反馈箝位; 温度稳定性;
机译:具有负反馈技术的曲率补偿CMOS带隙
机译:使用基于氯的等离子体和高选择性化学金属蚀刻相结合的Ta / TiN中带隙全金属单栅极制造技术,用于de级仪CMOS技术
机译:采用14nm CMOS技术的基于带隙的精确上电检测器
机译:基于电流模式技术的低压带隙基准源
机译:带隙电压参考电路部分耗尽的硅 - 绝缘体CMOS技术
机译:带隙调谐的2D氮化硼/钨纳米核复合材料用于开发高性能深紫色选择性光电探测器
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:通过apCVD实现ZnmgO,在聚酰亚胺模块上实现高性能中间带隙CIGs。 2009年10月至2010年10月
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:基于电源电压独立带隙的参考发生器电路,用于SOI / BULK CMOS技术
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