背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法及背沟道蚀刻型TFT基板

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法及背沟道蚀刻型TFT基板。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，采用两层的氧化硅层对有源层背沟道进行覆盖保护，先低温沉积形成氧化硅的第一钝化层，再高温沉积形成氧化硅的第二钝化层，然后采用含氮等离子体对第二钝化层表面进行处理，使第二钝化层表面的湿润角在60°以上，相比于采用单层氧化硅层对背沟道进行覆盖保护的现有技术方案，可提升背沟道蚀刻型氧化物TFT阻抗水气的作用，提升TFT电性，相比于采用氧化硅层与氮化硅层的组合对背沟道进行覆盖保护的另一现有技术方案，无需使用氮化硅层，可以避免氧化硅和氮化硅的沉积机台切换问题以及蚀刻选择比的问题，简化了制作工艺。