O3水处理对背沟道刻蚀型IGZO TFT器件电学特性的影响

摘要

本文研究发现了一种简单的掺杂补氧方法来改善背沟道刻蚀型(BCE)结构IGZO TFT器件的电学特性——O3水处理法.利用O3水的强氧化性通过对O3浓度及时间的调整,制备出了器件性能大幅提升的BCE IGZO TFT器件.相对于未处理的器件(Reference)其迁移率最高提升30％,Subthreshold Swing(SS)最高提升54％,且器件在不同Vd下收敛性更好、性能更可靠.