基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板以及垫高层，增加两芯片的距离，避免芯片间的边缘击穿效应；该互连结构的连接可实现多个芯片的纵向互连，且所选材料包含陶瓷基板和纳米银焊膏，纳米银焊膏烧结后主要成分为银，其导电性能与耐温性能与纯银相近，均为耐高温材料，可用于大功率芯片的互连；与其他封装形式相比，结构简单，可操作性强，且具有较普遍的适用性，是实现高温高压堆叠封装的简单有效方法。