一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法

摘要

本发明公开了一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。本发明解决了纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留的技术问题。