N型SiC欧姆接触电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层、Ti层以及Pt层，沉积结束后进行剥离工艺，去除多余的金属；在惰性气氛中进行快速热退火处理，在所述N型SiC圆片的上表面形成欧姆接触电极。所述方法使用Ni/Ti/Pt多层金属并经过退火后形成欧姆接触电极，形成的欧姆接触电极的表面形貌平整，无C颗粒析出，并且能够与N型SiC形成较好的欧姆接触。