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【2h】

Thermally Stable Ohmic Contact to p-Type 4H-SiC Based on Ti₃SiC₂ Phase

机译：基于Ti _{3 SiC _{2 阶段，对P型4H-SiC的热稳定欧姆接触。}}

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Tony Abi-Tannous; Maher Soueidan; Gabriel Ferro; Mihai Lazar; Christophe Raynaud; Bruno Gardiola; Dominique Planson;
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年度 2016
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机译：基于Ti_3SiC_2相的p型4H-SiC的热稳定欧姆接触
2. On the Ti_3SiC_2 Metallic Phase Formation for p-type 4H-SiC Ohmic Contacts [J] . M. R. Jennings, C. A. Fisher, D. Walker, Materials science forum . 2014,第pta2期

机译：p型4H-SiC欧姆接触的Ti_3SiC_2金属相形成
3. Thermal stability of Ni/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC [J] . Hailong Yu, Xufang Zhang, Huajun Shen, Journal of Applied Physics . 2015,第2期

机译：Ni / Ti / Al欧姆接触对p型4H-SiC的热稳定性
4. On the Ti_3SiC_2 Metallic Phase Formation for p-type 4H-SiC Ohmic Contacts [C] . M. R. Jennings, C. A. Fisher, D. Walker, Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2014

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5. Thermally stable Ohmic and Schottky contacts to gallium nitride. [D] . Voss, Lars Fredrik. 2008

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