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FINFET和形成FINFET的方法

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一个实施例是一种方法，包括凹进位于衬底上的半导体鳍上方的栅电极以从介电层的顶面形成第一凹槽，在位于凹进的栅电极上方的第一凹槽中形成第一掩模，凹进位于半导体鳍的源极/漏极区上方第一导电接触件以从介电层的顶面形成第二凹槽，以及在位于凹进的第一导电接触件上方的第二凹槽中形成第二掩模。本发明实施例涉及FINFET和形成FINFET的方法。

著录项

公开/公告号CN108122832B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-03

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201711047931.7
发明设计人林经祥;黄泰钧;包天一;
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申请日2017-10-31
分类号H01L21/768(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 11:04:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-03

授权

授权
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20171031

实质审查的生效
2018-06-05

公开

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