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一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT

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摘要

本发明涉及一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT，属于半导体功率器件领域。该晶体管包括从左至右设置的发射极、栅极、N‑漂移区、槽型SiO

1. 一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC-LIGBT [P] . 中国专利： CN107919391B . 2020.07.03
2. 一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的RC‑LIGBT [P] . 中国专利： CN107919391A . 2018-04-17
3. Non-volatile memory device e.g. ROM, has gate oxide layer positioned on semiconductor substrate and block oxide layers disposed in bottom of lateral faces of polysilicon gate, and word lines vertically placed on substrate [P] . 德国专利： DE102004063583A1 . 2005-08-04

机译：非易失性存储设备ROM，具有位于半导体衬底上的栅氧化层和位于多晶硅栅侧面的底部的阻挡氧化层，以及垂直置于衬底上的字线
4. TRENCH TYPE DMOS TRANSISTOR MANUFACTURED BY RELATIVELY SMALL NUMBER OF MASKING PROCESSES AND HAVING THICK OXIDE LAYER IN DISTAL REGION, AND ITS MANUFACTURING METHOD [P] . 日本专利： JP2007281515A . 2007-10-25

机译：相对较小数量的制造过程和远端区域具有厚氧化层的沟槽型DMOS晶体管及其制造方法
5. TRENCH TYPE DMOS TRANSISTOR WHICH IS MANUFACTURED BY RELATIVELY SMALL NUMBER OF PROCESSES AND HAS THICK OXIDE LAYER IN TERMINAL REGION [P] . 日本专利： JPH08204194A . 1996-08-09

机译：沟槽型DMOS晶体管，由相对较少的工艺制造，并且在端子区域具有厚的氧化层