一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法

摘要

本发明提供了本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及多晶硅突起通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层表面平坦化，进而降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。