公开/公告号CN107658342B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 贵州芯长征科技有限公司;南京芯长征科技有限公司;
申请/专利号CN201710997761.2
申请日2017-10-24
分类号
代理机构苏州国诚专利代理有限公司;
代理人韩凤
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
入库时间 2022-08-23 11:03:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
授权
授权
2020-05-19
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20200429 变更前: 变更后: 申请日:20171024
专利申请权、专利权的转移
2018-03-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20171024
实质审查的生效
2018-02-02
公开
公开
机译: 沟槽式MOSFET结构和带隔离屏蔽栅的布局
机译: 具有沟槽式接触结构的屏蔽栅MOSFET-肖特基整流二极管集成电路
机译: 带沟槽接触结构的屏蔽栅MOSFET-肖特基整流器-二极管集成电路