控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法

摘要

本发明是关于一种控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法。该控制介电抗反射层特性的方法，其特征在于形成此种介电抗反射层时，在含硅气体源与氧气体源所组成的反应气体中加入一含氮气体源，以控制介电抗反射层的折射率n值，并选择增加此含硅气体源对氧气体源或对含氮气体源的比例，以控制介电抗反射层的消光系数k值。因此，藉由可控制介电抗反射层的折射率n值和消光系数k值，而可使此介电抗反射层达到最低底层反射的效果。