一种FDSOI器件SOI和bulk区域浅槽形貌优化方法

摘要

本发明提出一种FDSOI器件SOI和bulk区域浅槽形貌优化方法，包括下列步骤：提供FDSOI器件衬底；对上述结构进行SOI层刻蚀；对上述结构进行表面氧化处理，在bulk区域形成氧化处；对SOI区域和bulk区域同时刻蚀至氧化处；对上述结构进行刻蚀处理，形成FDSOI器件浅槽隔离结构。本发明提出一种FDSOI器件SOI和bulk区域浅槽形貌优化方法，使用多次原位等离子表面氧化处理bulk区域再逐层刻蚀的方法，消除SOI/bulk两个区域的膜层差异，从而保证两个区域无差别刻蚀，保证两个区域刻蚀后的形貌光滑完整没有分界和变形，并且减少两个区域的的深度负载，最终确保工艺和器件性能提升和控制稳定。