一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法

摘要

本发明公开了一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，所述方法包括以下步骤：1)将基底进行清洗；2)在盛放基底的石墨舟上方放置与基底尺寸相同的钼箔或钨箔，在相对于基底的气流上游放置硫属单质；3)去除反应腔残留的空气，通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到大面积均匀的单层过渡金属硫属化合物。本发明利用钼箔或钨箔作为前驱体，避免了使用过渡金属氧化物作为前驱体时样品的不均匀、尺寸小等缺点，是一种能够实现均匀地制备大面积、高质量过渡金属硫属化合物的方法。